Diodo PIN
Fotodiodo PIN es una especie de fotodetector, puede convertir las señales ópticas en señales eléctricas.
Esta tecnología fue inventada en los últimos años de la década de 1950. Hay tres regiones en este tipo de diodo.
Hay una p-región, una región intrínseca y una n-región. La p-región y la n-región están comparativamente más dopadas que la p-región y la n-región de costumbre diodos p-n. El ancho de la región intrínseca debe ser mayor que el ancho de la carga espacial de un unión pn.
El Diodo fotográfico PIN opera con un sesgo inverso aplicado voltaje y cuando se aplica el sesgo inverso, la región de carga espacial debe cubrir la región intrínseca por completo. Los pares de agujeros de electrones se generan en la región de carga espacial por la absorción de fotones. La velocidad de conmutación de la respuesta de frecuencia de fotodiodo es inversamente proporcional al tiempo de vida.
La velocidad de conmutación puede ser mejorada por la vida de una pequeña minoría de portadores. En las aplicaciones de fotodetectores en las que la velocidad de respuesta es importante, la anchura de la región de agotamiento debe ser lo más grande posible para la vida útil de una pequeña minoría de portadoras, de modo que la velocidad de conmutación también aumente. Esto puede lograrse Fotodiodo PIN como la inserción de la región intrínseca el ancho de la carga espacial es mayor. A continuación se muestra el diagrama de un fotodiodo PIN normal.
Fotodiodo de Avalancha
El fotodiodo de la avalancha (que no debe confundirse con un diodo de avalancha) es una especie de fotodetector que puede convertir las señales en señales eléctricas, un trabajo de investigación pionero en el desarrollo de las avalanchas diodo se hizo principalmente en la década de 1960.
Fotodiodo de avalancha La configuración estructural es muy similar al fotodiodo PIN. A Fotodiodo PIN consta de tres regiones…
- p-región,
- región intrínseca,
- n-región.
La diferencia es que el sesgo inverso aplicado es muy grande para causar la ionización por impacto. Para el silicio como material sc, un diodo necesitará entre 100 y 200 voltios. En primer lugar, los pares de agujeros de electrones se generan por la absorción de fotones en la región de agotamiento. Estos generan más pares de agujeros de electrones a través de la ionización por impacto. Estos son barridos de la región de agotamiento rápidamente, es decir, el tiempo de tránsito es muy menor.
