Durante la compra de un JFET para una aplicación en particular necesitamos comprobar las especificaciones del dispositivo. Estas especificaciones son proporcionadas por los fabricantes. Los siguientes son los parámetros usados para especificar un JFET y estos son
- Voltaje de corte de la puerta (VGS(off))
- Corriente de drenaje de la puerta en cortocircuito (IDSS)
- Transconductancia (gmo)
- Resistencia de salida dinámica (rd)
- Factor de amplificación ()
El voltaje de la puerta se ha cortado
Con un voltaje de drenaje fijo, la corriente de drenaje (ID) de un JFET depende de la puerta a la fuente de voltaje (VGS). Si el voltaje de la puerta de la fuente disminuye de cero en n canal JFET, la corriente de drenaje también disminuye en consecuencia. La relación entre el voltaje de la puerta a la fuente y la corriente de drenaje se da a continuación. 
Después de una cierta puerta a la fuente de voltaje (VGS), la corriente de drenaje ID se convierte en cero. Este voltaje es conocido como el voltaje de la puerta de corte (VGS(off)). Este voltaje es numéricamente igual al drenaje de la fuente de voltaje (Vp). En el caso del canal p JFET si aumentamos el voltaje del terminal de la puerta desde cero, la corriente de drenaje disminuye y después de cierta puerta a la tensión de la fuente, la corriente de drenaje se convierte en cero. Este voltaje es el voltaje de corte de la puerta para el canal p JFET. Es el voltaje de corte de puerta para el canal p de JFET.
Corriente de drenaje de la puerta en cortocircuito
Cuando el terminal de la puerta está conectado a tierra (VGS = 0) y drenaje positivo al voltaje de la fuente (VDS) se incrementa lentamente en caso de n canal JFET, la corriente de drenaje se incrementa linealmente. Pero después de la tensión de pinchazo (Vp), la corriente de drenaje no se incrementaría más y obtiene un valor constante. Esta es la máxima corriente de drenaje que puede fluir a través del canal cuando el terminal de la puerta está en potencial de tierra. Esta corriente está fijada para un JFET y se llama corriente de drenaje de puerta en cortocircuito y generalmente se denota por IDSS.
Transconductancia
La transconductancia es la relación de cambio en la corriente de drenaje (ID) para cambiar en la puerta a la tensión de la fuente (VGS) con un drenaje constante al voltaje de la fuente (VDS = Constante).
Este valor es máximo en VGS = 0. Esto se denota por gmo. Este valor máximo (gmo) se especifica en una hoja de datos del JFET. La transconductancia a cualquier otro valor de la tensión de la puerta a la fuente (gm) puede determinarse de la siguiente manera. La expresión de la corriente de drenaje (ID) es
Al diferenciar parcialmente la expresión de la corriente de drenaje (ID) con respecto al voltaje de la puerta a la fuente (VGS)
En VGS = 0, la transconductancia obtiene su máximo valor y eso es
Por lo tanto, podemos escribir,
Resistencia de salida dinámica
Esta es la relación entre el cambio de drenaje y el voltaje de la fuente (VDS) al cambio de la corriente de drenaje (ID) en una puerta constante a la fuente de voltaje (VGS = Constante). La proporción se denota como rd.
Factor de amplificación
El factor de amplificación se define como la relación de cambio del voltaje de drenaje (VDS) para cambiar el voltaje de la puerta (VGS) a una corriente de drenaje constante (ID = Constante).
Existe una relación entre la transconductancia (gm) y la resistencia de salida dinámica (rd) y eso se puede establecer de la siguiente manera.
